瑞萨开发出可实现32纳米及以上工艺片上SOI SRAM

来源：国际电子商情作者：发布时间：2007-06-27 08:45:52 字体:[大中小]

摘要：日前，日本瑞萨科技公司宣布，他们开发出一种可在32nm(纳米)及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC(系统级芯片)上的SRAM。

    日前，日本瑞萨科技公司宣布，他们开发出一种可在32nm(纳米)及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC(系统级芯片)上的SRAM。

    新开发的技术采用SOI(绝缘硅)技术，可独立控制基体电位，也就是构成SRAM的晶体管的三种衬底部分，从而显著扩展SRAM的运行容限。

    对采用这一技术的65nm CMOS工艺的2Mb SRAM实验制造和评估证实，与没有使用该技术的器件相比，工作下限电压可提高大约100mV。此外，读取容限(静态噪声容限：SNM)——SRAM运行容限指标——可改善大约16%，写入容限的改善大约为20%，同时晶体管的电气特性变化可有大约19%的下降。

    SNM可随工艺的优化而下降。不过，在32nm和22nm工艺仿真方面，已证实与没有采用这一技术的器件相比，32nm SNM大约改善了27%，22nm大约为49%，这相当于实现了等于65nm工艺水平的SNM。因此可以说，这一技术履行了实现32nm及以上工艺SRAM的承诺。

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